重磅深度：特高压专题 天堑变通途 送电达四方

近年来，重磅清华大学张强教授研究团队在能源材料化学领域，尤其是锂硫电池、金属锂负极和电催化开展研究工作。

深度送电在包括美国材料研究学会春季会议（MRSSpringMeeting）在内的国际/国内会议上做特邀报告30余次。（d）Bi和S原子靠近，特高题天通途杂化增强导致电荷转移的示意图，表明该体系具有高的玻恩有效电荷，从而具有高的介电常数。

典型的例子如近年来备受关注的卤化物钙钛矿光电材料，压专其介电常数高达70，压专有效地降低了光生载流子被杂质缺陷的散射或捕获，导致了材料具有超长的载流子迁移距离、较长的载流子寿命、及较高的载流子迁移率，是这类材料高光电转换效率的重要因素之一。一般而言，堑变带隙低于1.0eV适合热电器件，堑变在1～1.7eV适合太阳能电池器件，在1.5～2.3 eV适合室温辐射探测器的应用，在这些带隙区间内存在高介电常数的半导体材料。作者基于准确可靠的第一性原理高通量材料计算，重磅综合考虑介电屏蔽效应与电子结构性质作为筛选尺度，重磅针对两类半导体电子和光电子材料——太阳能光伏材料和热电材料，开展了新材料设计研究。

深度送电随着介电常数的增加带隙呈大致减小的趋势。（c，特高题天通途d）从（a，b）中分别选出n型和p型掺杂条件下的EFF值较大的5个材料，计算Seebeck系数。

本文由论文的第一作者、压专吉林大学材料学院在读博士研究生贺欣供稿。

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